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  • Messende Widerstand-Strecke: MOS PNP NPN LCR Tester
  • Messende Kapazitanz-Strecke: Capacitance Tester
  • heimwerkerbedarf: Elektrisch
  • DC Strom: 1
  • AC Spannung: 1
  • Darstellungsart: digitalanzeige
  • Maße: 7.2 * 6.25cm (L * W)
  • Messende gegenwärtige Strecke: Transistor Tester

  • Verpackungsgewicht: 0.1kg (0.22lb.)
  • Einheitstyp: stück

USD 16,72 /stück USD 9,94-10,34 /stück USD 19,68 /stück USD 9,94 /stück USD 4,40-8,70 /stück USD 26,03 /stück spezifikationen: Material: PCB Power Modus: 6F22 Display: 128*64 lcd-hintergrundbeleuchtung prüfung Geschwindigkeit: 2 sekunden (1 minute ist normal für große kondensator) abschaltung Strom: na angezeigte Wert: 25pf-100mF (auflösung 1pF) induktivität: 0,01 mhz-20 H widerstand: ≤2100Ω Power Volatge: 9 V schicht eingebauten akku/2 lithium-ionen-batterien, bilden eine 8,4 V akku auflösung von Widerstand Messung: 0,1 ohm die Höchste Messwert: 50 Mt ohm vorgesehen Testen Strom: Ca. 6mA Produktgröße: 7,2*6,25 cm (L * W) Features: angetrieben durch 9 V schicht eingebauten akku, verwenden können 2 lithium-ionen-batterien, bilden eine 8,4 V akku für lange zeit power. mess bipolar transistor hochstromverstärkungsfaktor und basis-emitter-schwellen spannung. automatische test die pin einer komponente, und display auf der 128*64 LCD hintergrundbeleuchtung. messen die tor und tor kapazität der MOSFET schwellenspannung. eine-button betrieb, automatische abschaltung, nur na abschaltung strom. Eeverse ist durchbruchspannung weniger als 4,5 V, Zener diode kann identifiziert. 2 uF mehr kondensatoren kann gleichzeitig die äquivalenten serienwiderstand ESR werte. über die basis-emitter-schwellen spannung und hochstromverstärkungsfaktor zu identifizieren Darlington transistoren. können gleichzeitig zwei widerstände und widerstand symbol angezeigt wird. angezeigt auf der rechten mit eine dezimalstelle wert von 4. kann ermitteln transistor, MOSFET schutz diode stromverstärkungskoeffizienten und die basis zu bestimmen die emitter transistor vorwärts vorgespannt spannung. automatische erkennung von NPN und pnp-transistoren, n-kanal und p-kanal MOSFET, diode (einschließlich doppel diode), thyristor, transistor, widerstand und kondensator und andere komponenten.


Robgendron2002
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Sssofialindegren
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